Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
3072-Bit-RSA
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
176-Layer 3D TLC NAND Technologie, End-to-End-Datenschutz, Advanced ECC Engine, fortschrittliche Architektur zum Schutz vor Leistungsverlusten, einstellbare thermische Überwachung, Secure Execution Environment, Asymmetric Roots of Trust, Strong Asymmetric Key Support, RSA Delegation Key Support, Secure Boot, Key-basiertes Firmware-Update, Key-basierter privilegierter Zugang, S.M.A.R.T.
Leistung
Laufwerkaufzeichnungen pro Tag
1
Laufwerkklasse
Read Intensive
Interner Datendurchsatz
5000 MBps (lesen)/ 2500 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
735000 IOPS
4 KB Random Write
160000 IOPS
Zuverlässigkeit
Nicht-korrigierbare Datenfehler
1 pro 10^17
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatibles Schaltfeld
M.2 22110
Stromversorgung
Energieverbrauch
8.2 Watt (Lesen)
8.2 Watt (Schreiben)
Verschiedenes
Kennzeichnung
RoHS, FCC, EN55024 Class B, EN 55032 Class B, 47 CFR Part 15 Class B, UL, IEC 60950-1:2005 Second Edition, EN 60950-1:2005, EN 60950-1:2006+A1:2010+A11:2009 + A12:2011 + A2:2013, BSMI CNS 13438 Class B, CNS 15663, BSMI CNS 15663, RCM, AS/NZS CISPR 32 Class B, KC, RRL, KCC KN32 Class B, KCC KN35 Class B, WEEE 2012/19/EC, TUV, IEC60950/EN60950, VCCI, VCCI 2015.04 Class B, IC, ICES-003 Class B, Morocco, UkrSEPRO, UKCA, SI 2012/3032 RoHS, SI 2016/1091 Class B, EN55032 Class B
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - Austausch - 1 Jahr
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95 % (nicht kondensierend)
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
20 gRMS @ 5-3000 Hz
