Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - Hot-Swap
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
3072-Bit-RSA
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Schnittstelle
U.3 PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
232-Layer TLC NAND Technologie, Advanced ECC Engine, End-to-End-Datenschutz, fortschrittliche Architektur zum Schutz vor Leistungsverlusten, einstellbare thermische Überwachung, Secure Execution Environment, Asymmetric Roots of Trust, Strong Asymmetric Key Support, RSA Delegation Key Support, Secure Boot, Key-basiertes Firmware-Update, Key-basierter privilegierter Zugang, S.M.A.R.T.
Leistung
Laufwerkaufzeichnungen pro Tag
1
Laufwerkklasse
Read Intensive
Interner Datendurchsatz
6800 MBps (lesen)/ 5300 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
1100000 IOPS
4 KB Random Write
180000 IOPS
Zuverlässigkeit
Nicht-korrigierbare Datenfehler
1 pro 10^17
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x U.3 PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
2.5" (6.4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch
12.8 Watt (Lesen)
15.5 Watt (Schreiben)
Verschiedenes
Kennzeichnung
EN55024 Class B, EN55032 Class B, RoHS, FCC, 47 CFR Part 15 Class B, UL, EN 60950-1 Second Edition, IEC 60950-1:2005 Second Edition, EN 60950-1:2006+A1:2010+A11:2009 + A12:2011 + A2:2013, BSMI CNS 13438 Class B, BSMI CNS 15663, RCM, AS/NZS CISPR 32 Class B, KC, RRL, KCC KN32 Class B, KCC KN35 Class B, WEEE 2012/19/EC, TUV, IEC60950/EN60950, VCCI, VCCI 2015.04 Class B, IC, ICES-003 Class B, Morocco, UkrSEPRO, UKCA, SI 2016/1091 Class B, SI 2012/3032 RoHS
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - Austausch - 1 Jahr
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 90% (nicht kondensierend)
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
9.1 gRMS @ 5-800 Hz
Informationen zur Kompatibilität
Entwickelt für
P/N: 7S0A007FWW, 7S0A007HWW, 7S0A007KWW, 7S0A007MWW, 7S0A007PWW
